专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多晶硅铸锭边皮的去杂质方法-CN201410733691.6在审
  • 付红平;章金兵;刘渝龙;彭也庆 - 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
  • 2014-12-05 - 2015-03-25 - C01B33/037
  • 一种多晶硅铸锭边皮的去杂质方法,包括步骤:对多晶硅铸锭边皮进行破碎处理,得到目标尺寸的多晶;将目标尺寸的多晶放置于酸性腐蚀液或碱性腐蚀液中浸泡,去除多晶表面的碳化硅、氮化硅或金属等杂质;将浸泡后的多晶用纯水冲洗至溶液呈中性;将多晶烘干。通过先利用颚式破碎机将片状或块状的多晶硅铸锭边皮进行破碎,得到颗粒状的多晶,从而使得更多的内嵌杂质暴露于多晶表面,进而利用酸溶液或碱溶液对多晶进行腐蚀,使得内嵌杂质从多晶表面剥离,达到除去杂质的效果
  • 多晶铸锭边皮料杂质方法
  • [实用新型]一种全自动多晶破碎筛分机-CN202020720654.2有效
  • 吕磊 - 华磊寰球工业装备(青岛)股份有限公司
  • 2020-04-30 - 2021-03-23 - B02C1/04
  • 本实用新型公开了一种全自动多晶破碎筛分机,该多晶破碎筛分机包括用于破碎多晶的颚式破碎机和用于筛分破碎后的多晶的筛分装置,颚式破碎机包括静颚板、动颚板和边板,静颚板、动颚板和边板均由与多晶接触的工作板和安装于所述工作板背面的背板组成,工作板由对多晶不产生污染的材料制成。该多晶破碎筛分机能够对多晶自动上、破碎、筛分及下料,并且其对多晶破碎筛分的全过程防护完善,不会造成硅的二次污染。
  • 一种全自动多晶破碎筛分
  • [发明专利]多晶碳头的清洗方法-CN200810163783.X无效
  • 裘永恒 - 嘉兴嘉晶电子有限公司
  • 2008-12-31 - 2009-07-15 - C30B33/00
  • 本发明公开一种多晶碳头的清洗方法,主要包含以下步骤:将多晶碳头放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡,捞出多晶碳头后用清水冲洗干净,将多晶碳头放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗,捞出多晶碳头用纯水冲洗干净,对多晶碳头进行纯水超声处理,捞出多晶碳头,进行烘干。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头上的石墨杂质的方法,采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头进行的清洗,与传统的方法相比能的将多晶碳头的上的石墨杂质去除,完全符合太阳能硅业的清洁要求,且对多晶碳头本身的损耗很少,增加了原料的可利用率。
  • 多晶碳头料清洗方法
  • [实用新型]一种多晶的分段设备-CN202022522413.X有效
  • 傅伟力;李敏;许冲;李勇 - 威科赛乐微电子股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2021-11-16 - B28D5/02
  • 本实用新型属于多晶加工技术领域,具体涉及一种多晶的分段设备,包括机架和圆形锯片,机架上设有设备平台,设备平台上设置有两个相互平行的导轨,导轨上滑动的设有多晶平台,多晶平台的中间位置开设有与导轨平行的第一狭缝,多晶平台上设置有推板和多晶长度限位块,推板的右侧面与导轨方向垂直形成第一定位面,推板上设置有两个紧固件,多晶长度限位块的前侧面与导轨方向平行形成第二定位面,圆形锯片的上端伸出第一狭缝,圆形锯片的切割面与推板的第一定位面垂直,且与多晶长度限位块的第二定位面平行。本实用新型能提高多晶的分段质量,克服多晶分段过程中出现歪斜或者多晶截面不平整的问题。
  • 一种多晶分段设备
  • [发明专利]一种高温高压碳硅分离工艺及装置-CN202210008361.5有效
  • 徐建均;周同义 - 南通友拓新能源科技有限公司
  • 2022-01-06 - 2022-03-15 - C01B33/037
  • 本发明公开了一种高温高压碳硅分离工艺及装置,将多晶硅碳头加热,在碳头表面生成一层SiO2层;在多晶硅碳头表面喷射冷水,使多晶硅碳头表面发生皲裂;在多晶硅碳头表面喷射腐蚀液;采用去离子水对分离后的多晶硅碳头清洗,并进行多晶硅和石墨筛选分离。本发明通过将多晶硅碳头加热后再喷射冷水急冷从而使碳头发生皲裂,从而为腐蚀液提供了便利的反应通道,使腐蚀液更容易渗入碳头内,加速了反应时间,从而大大降低了多晶硅碳头在腐蚀液中的浸润时间,提高了多晶硅碳头的硅碳分离的效率和效果
  • 一种高温高压分离工艺装置
  • [实用新型]一种生产多晶冰糖使用的烘干箱-CN202022091901.X有效
  • 蹇春燕 - 蹇春燕
  • 2020-09-22 - 2021-04-13 - F26B11/08
  • 本实用新型公开了一种生产多晶冰糖使用的烘干箱,涉及食品生产技术领域。该一种生产多晶冰糖使用的烘干箱,包括多晶冰糖烘干箱,多晶冰糖烘干箱侧面开设由环形出槽,多晶冰糖烘干箱上表面设有投料口,投料口下表面贯穿多晶冰糖烘干箱上表面,多晶冰糖烘干箱上表面设有固定柱,固定柱圆周表面贯穿转动连接在多晶冰糖烘干箱上表面,多晶冰糖烘干箱内设有盛桶,盛桶上表面内凹有环形进料槽,盛桶上表面转动连接在固定柱下表面,盛桶下端圆周表面固定连接有轮齿,盛桶圆周表面开设有出口,使多晶冰糖不会在干燥以后互相粘连,保护其外观,增加其成块的质量,大大的增加了烘干效果,使多晶冰糖的成品质量更高。
  • 一种生产多晶冰糖使用烘干
  • [发明专利]一种多晶硅破碎系统及方法-CN202310525062.3在审
  • 刘逸枫;谢锋;黄文君;宋佳波;李川;辛安才;黄鹏;赵元果;李杰;李崎材;卓冬辰 - 四川永祥多晶硅有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-08-01 - B02C21/00
  • 本发明公开了一种多晶硅破碎系统及方法,涉及多晶硅破碎技术领域,多晶硅破碎系统,包括:料车,料车内盛放有硅棒;上台,上台位于料车旁;多晶硅破碎装置,多晶硅破碎装置位于上台后方,对上后的硅棒进行破碎;输送装置,输送装置的输送前端位于多晶硅破碎装置的出口下方,输送多晶硅破碎装置出口排出的破碎后的块状硅并对其进行冷却;硅自动添加装置,硅自动添加装置位于输送装置旁,其内装有硅,并将硅自动添加至输送装置上,与输送装置输送的多晶硅破碎装置破碎的块状硅混合。硅自动添加装置弥补多晶硅破碎装置破碎产品因人为搭配造成的个别产品差异和产品减值,同时改善人为添加操作的可操作性和均匀性。
  • 一种多晶破碎系统方法
  • [发明专利]多晶硅锭的制备方法-CN201310320649.7无效
  • 曾磊;李松松;张澎伟;闫英永 - 山东大海新能源发展有限公司
  • 2013-07-29 - 2013-11-20 - C30B28/06
  • 本发明涉及一种利用DSS法铸造多晶硅时向坩埚中装填硅的方法,还涉及了一种高品质多晶硅锭的制备方法。该方法包括以下步骤:装填硅时,在坩埚底部均匀铺满碎片,在碎片上放置还原多晶硅块。在铸造多晶硅锭时,将装有硅的坩埚加热,控制热场,使硅逐渐熔化,当硅熔化至坩埚底部碎片区域时,停止加热,进入长晶阶段,长晶结束后退火冷却,得到高品质多晶硅锭。采用这种装填硅的方法及多晶硅锭制备方法,可以有效降低多晶硅铸锭过程中长晶初始阶段形成的大量位错,可以有效减少枝晶的形成,提高多晶硅锭的少子寿命。
  • 多晶制备方法
  • [发明专利]一种TGGG磁光晶体的生长方法-CN202310748773.7在审
  • 罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 - 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-19 - C30B15/00
  • base:Sub>4O7和Ga2O3原料,加热烧结得到多晶,对加热烧结得到多晶进行球磨处理,得到多晶,将多晶置于离心机内,然后对多晶进行筛选,将离心筛选之后的多晶置于坩埚内,再将盛有多晶的坩埚放入晶体生长炉内,使得坩埚内的多晶熔化,将熔化之后的多晶置于晶体生长炉之内进行引晶,得到单晶材料,对生长完成的单晶材料进行降温处理,得到TGGG磁光晶体,有效的保证了TGGG磁光晶体生长的稳定性,有效的提升了成品率和合格率。
  • 一种tggg晶体生长方法
  • [实用新型]一种多晶清洗装置-CN201520779305.7有效
  • 陈伟;陈养俊;肖贵云;陈志军;金浩 - 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2015-10-09 - 2016-02-03 - B08B3/08
  • 本申请公开了一种多晶清洗装置,包括酸洗池,所述酸洗池的底面设置有放液口,还包括:设置于所述酸洗池中的装料篮,所述装料篮的底面设置有多个小孔;设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶的隔挡条;其中,一个多晶的反应面与另一多晶的反应面相背设置,且所述多晶卡接于所述隔挡条之间。一方面保护多晶的非反应面尽量不与酸反应,使多晶反应面充分与酸反应,实现降低硅的损失。另一方面通过对多晶的清洗,去除硅内部的碳化硅和氮化硅及金属杂质,减少了多晶铸锭投炉硅的杂质,从而减少硅锭的杂质,提升硅锭的质量。
  • 一种多晶清洗装置
  • [发明专利]多晶复投方法-CN201410012263.4有效
  • 乔松;尹东坡;司佳勇;郭凯 - 英利集团有限公司
  • 2014-01-10 - 2014-04-30 - C30B15/00
  • 本发明提供了一种多晶复投方法。该多晶复投方法包括:步骤S1:在拉制单晶硅棒的坩埚内的熔硅表面结晶形成托盘;步骤S2:向坩埚内投放多晶,并使多晶位于托盘上;步骤S3:在投放的多晶达到预定量之后,保持预定时间,然后将托盘和托盘上的多晶完全熔化在坩埚内以拉制单晶硅棒根据本发明,能够将多晶携带的气体蒸发掉,防止气体在多晶熔化过程中膨胀而使得熔硅飞溅,从而避免熔硅飞溅对拉制单晶硅棒的装置造成损害,降低了企业的生产成本。
  • 多晶硅料复投方法
  • [实用新型]多晶硅块吹扫装置及系统-CN201720485949.4有效
  • 王体虎;张孝山;王生红;汪成洋;陈斌 - 亚洲硅业(青海)有限公司
  • 2017-05-03 - 2017-12-12 - B08B5/02
  • 本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,旨在解决现有技术中的多晶硅棒表面大量附着的硅粉,影响产品品质,以及在拉制单晶过程中,细硅粉无法熔化,漂浮在熔化的液体表面影响成晶率的问题,提供一种多晶硅块吹扫装置及系统本实用新型的实施例中提供的多晶硅块吹扫装置,包括风淋室、鼓风装置以及硅粉收集箱。多晶硅块经风淋室的进料口进入风淋室的容纳腔,位于容纳腔内的鼓风装置的对多晶硅块进行吹风,将吹出的硅粉吹入硅粉收集箱内,进而吹走附着在多晶硅块表面上的硅粉,保证多晶硅块的干净,提高多晶硅块的品质以及提高拉制单晶的成晶率
  • 多晶硅块料吹扫装置系统
  • [发明专利]一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺-CN201510428011.4有效
  • 陈海滨;李磊;索思卓;李明飞;白杜娟 - 有研半导体材料有限公司
  • 2015-07-20 - 2019-04-12 - C30B13/30
  • 本发明公开了一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺,首先可用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段,当出现多晶刺时,将线圈向正、负极方向偏移以使腰变粗,降低多晶的转速,在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶的旋转方向;其次可用于悬浮区熔法生长单晶硅的等径保持阶段,当出现多晶刺时,将线圈向正、负极方向偏移,降低线圈功率以使腰变粗,降低多晶的转速,在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶的旋转方向。本发明通过采用消除多晶刺的生长工艺,降低了单晶失败的几率,提高了单晶寿命,进而增加了单晶的收率。
  • 一种区熔硅单晶生长消除多晶工艺

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